存储芯片是数字系统的核心数据载体，其性能与可靠性直接决定了从消费电子到人工智能基础设施的整体效能。本文基于存储介质的工作原理，系统梳理主流存储芯片的技术架构、制备工艺、核心瓶颈及产业竞争态势，为相关领域的技术决策提供参考。一、存储芯片的分类体系与功能定位依据断电后数据是否保留，存储芯片分为易失性存储与非易失性存储两大阵营，二者在体系架构中承担截然不同的职能。1. DRAM（动态随机存储器）DRAM采用1T1C（单晶体管+单电容）单元架构，依赖电容电荷存储数据。由于电容存在漏电，需以毫秒级周期刷新维持数据，属于典型易失性存储。其优势在于纳秒级读写速度与极低延迟，是CPU/GPU运行内存及服务器主存的首选。HBM（高带宽内存）作为DRAM的衍生形态，通过TSV硅通孔实现多层芯片堆叠与微凸点互连，在AI显卡与高性能计算场景中提供TB/s级带宽，已成为AI算力核心介质。2. 3D‑NAND Flash（三维闪存）采用垂直堆叠电荷俘获单元，通过百层以上栅极堆叠突破平面微缩的物理极限，实现大容量、低比特成本的非易失存储。当前主流堆叠层数达232‑332层，广泛部署于SSD、手机UFS及数据中心存储阵列，承担海量数据的持久化存储任务。3. NOR Flash（代码型闪存） 存储芯片技术全景解析：分类、工艺、挑战与产业格局
存储芯片是数字系统的核心数据载体，其性能与可靠性直接决定了从消费电子到人工智能基础设施的整体效能。本文基于存储介质的工作原理，系统梳理主流存储芯片的技术架构、制备工艺、核心瓶颈及产业竞争态势，为相关领域的技术决策提供参考。一、存储芯片的分类体系与功能定位依据断电后数据是否保留，存储芯片分为易失性存储与非易失性存储两大阵营，二者在体系架构中承担截然不同的职能。1. DRAM（动态随机存储器）DRAM采用1T1C（单晶体管+单电容）单元架构，依赖电容电荷存储数据。由于电容存在漏电，需以毫秒级周期刷新维持数据，属于典型易失性存储。其优势在于纳秒级读写速度与极低延迟，是CPU/GPU运行内存及服务器主存的首选。HBM（高带宽内存）作为DRAM的衍生形态，通过TSV硅通孔实现多层芯片堆叠与微凸点互连，在AI显卡与高性能计算场景中提供TB/s级带宽，已成为AI算力核心介质。2. 3D‑NAND Flash（三维闪存）采用垂直堆叠电荷俘获单元，通过百层以上栅极堆叠突破平面微缩的物理极限，实现大容量、低比特成本的非易失存储。当前主流堆叠层数达232‑332层，广泛部署于SSD、手机UFS及数据中心存储阵列，承担海量数据的持久化存储任务。3. NOR Flash（代码型闪存） RELATED READING
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