一、产品概述RB302A 是上海晶准电子推出的单节锂离子、锂聚合物电池保护芯片芯片内部集成典型 48mΩ 功率 MOSFET无需外接 MOS 功率器件采用 SOT23‑5 通用贴片封装。芯片支持耐受 9V 充电器电压具备二重放电过流检测集成过充、过放、充放电过流、短路、过温全套电芯保护支持 0V 充电功能可激活深度放空锁死电芯。外围仅需 1 颗电阻、1 颗电容常规 R1 取值 470Ω‑1.5kΩC1 取值 100nF‑1uF。该芯片无法做到 100% 上电自动激活部分样品需要接充电器才可唤醒不适合可拆卸电池方案点焊场景要求 R1≥1kΩC1≥0.1uF。芯片满足 RoHS 无铅环保HBM 静电 4000V25℃最大功耗 400mW适合不可拆卸的中小电流消费类锂电产品。二、关键电气参数除非特殊说明测试条件环境温度 27℃VDD3.7V。电压阈值过充检测典型 4.30V过充解除典型 4.15V过放检测典型 2.45V过放解除典型 3.00V电流保护二重放电过流检测过放电流 1 典型 3.8A延时 20ms短路典型 11A延时 150μS充电过流典型 3.8A功耗指标工作静态电流典型 2.6μA休眠电流典型 0.6μAMOSFETVM‑GND 导通内阻 48mΩ温度保护过温保护 155℃释放温度 120℃保护延时过充 100ms过放 100ms过放电流 1 为 20ms过放电流 2 为 2.5ms短路 150μS极限额定VDD 最大 8VVM 电压‑8V11V结温‑40145℃。三、引脚定义SOT23‑51 脚 NC空脚PCB 悬空2 脚 GND芯片地接电芯负极3 脚 VDD电芯电压采样引脚4、5 脚 VM充放电负端检测并联接输出负端 P‑。最简外围电池正极串 1kΩ 电阻接 VDDVDD‑GND 并联 0.1μF 电容VM 直连 P‑。点焊工况 R1≥1kΩC1≥0.1uF。四、工作模式与保护逻辑RB302A 拥有正常、充电、放电、休眠四种工作模式。支持 0V 充电电池电压低于 2.3V 进入休眠依靠体二极管充电0V 充电电流必须≤200mA芯片不能完全上电自激活部分器件需要接入充电器完成唤醒。休眠状态接上充电器即可退出休眠。正常模式电压电流全部正常充放电通路全部导通。过充保护充电4.30V 持续 100ms 关断充电回落至 4.15V 恢复。过放保护放电电压2.45V 延时 100ms 切断放电VDD 低于 2.2V 进入休眠充电回升 3.00V 恢复。二重放电过流保护3.8A/20ms 处理普通过载11A/150μS 实现短路快速关断故障消除 VM 条件满足自动复位。充电过流充电电流3.8A 关断充电移除充电器或接负载后释放。过温保护结温 155℃切断充放电降温 120℃恢复。五、PCB 设计要点SOT23‑5 最大功耗 400mW属于中小电流等级功率铜皮加宽VM 引脚建议并联不适合长时间持续大电流。VDD 的阻容靠近 VDD/GND缩短采样走线点焊应用 R1≥1kΩC1≥0.1uF。VM 走线尽量短远离大功率走线减小寄生与噪声干扰。功率走线和采样信号线分开布局。使用 0V 充电时外部电路必须限流休眠充电电流控制 200mA 以内。产品方案上规避可拆卸电池结构防止芯片无法上电激活导致产品失效。六、产品核心亮点SOT23‑5 通用封装外围仅一阻一容点焊场景具备明确器件选型约束。注意芯片无法 100% 自动激活不支持可拆卸电池。二重过流 短路保护各档位独立延时短路响应快可耐 9V 充电器输入适配器兼容性好。休眠电流 0.6μA静态功耗低降低电池静置自耗电。具备完整过充、过放、充放电过流、短路、过温保护支持 0V 充电修复深度亏电电芯4000V HBM 静电防护。七、典型应用场景单节锂电池、锂聚合物电池组仅限不可拆卸电池的小型数码、便携小家电等中小电流消费电子不能用于可拆卸电池方案。八、产品小结RB302A 为晶准 SOT23‑5 封装单串锂电保护 IC内置 48mΩ MOS二重放电过流工作电流 2.6μA休眠 0.6μA耐 9V 充电器支持 0V 充电外围一阻一容点焊有专门选型要求。关键限制无法做到 100% 上电自动激活禁止可拆卸电池项目使用适合不可拆卸结构的中小电流单串锂电保护。