Mos管 : 通过电场控制电流,区别于传统三极管的电流控制,是芯片的最小组成单位主要作用为 :1.放大电路2.开关Mos管分为N沟道和P沟道,并且每种又分为增强型和耗尽型---1.增强型为本来没有沟道外加电压 “造出” 沟道2.耗尽型为天生自带沟道不加电压也导通N沟道增强型Mos管的组成:1.衬底为P型半导体,两侧扩散为N型半导体区域2.中间为绝缘层,上方为金属栅极[G]工作原理 :当栅极G接电源正极源极S接负极时栅极聚集正电荷。电场吸引P型衬底中的电子向绝缘层下方移动排斥空穴。当栅源电压足够高时衬底表面形成由电子构成的N型导电沟道连接漏极和源极。连接方式 :1.栅极G连接小电源的正极,源极S连接小电源的负极---在N沟道Mos管中形成N沟道电流方向为 : 栅极-源极S2.漏极D连接大电路的正极,源极S连接大电路的负极---电流可以通过形成的N沟道,导通大电路电流方向 : 漏记D-源极S连接技巧: 反接漏记处的寄生二极管简化图 :P沟道增强型Mos管P沟道增强型Mos管的组成衬底为N型半导体两侧为P型区域。箭头方向朝外代表空穴正电荷移动方向或电子移出方向工作原理 :栅极G接负极源极S接正极。栅极负电荷排斥电子吸引空穴至表面形成P型沟道。连接方式 :控制回路G接小电源负极S接小电源正极。主回路S接大电源正极D接大电源负极经负载。电流路径从源极S流向漏极D。简化图 :MOS管类型识别与导通机制N沟道增强型MOS管符号中箭头表示电子方向即为N沟道。内部连线为虚线表示增强型。导通思路为先导通栅极G到源极S进而使漏极D到源极S导通。P沟道MOS管箭头表示电子方向向外走正确连接方式应为电流先从源极到栅极打通形成通道后电流再从漏极下来。高阻态定义 : 电路中出现引脚出现悬空状态,电平不确定时将这种状态称为高阻态,字母Z标识---会导致信号不稳定上拉电阻与下拉电阻 : 尽可能靠近输入引脚以减小引线长度降低受干扰面积。上拉电阻 : 指将信号从不确定状态拉高至高电平电阻本身为普通电阻关键在于连接方式接电源为正拉。下拉电阻 : 指将信号从不确定状态拉低至低电平电阻本身为普通电阻关键在于连接方式接电源为下拉。开漏定义 :当MOS管截止时漏极处于断开状态既不连电源也不连地输出呈高阻态ZZ故称“开漏”。推挽输出模式 :无需外接上拉电阻即可实现高低电平的稳定输出驱动能力强无高阻态。推挽模式通过电子的“推”和“拉”动作实现电平切换。零欧姆电阻 :是阻值极小的电阻并非真正的零阻值。作用 :1.测量某部分电路的耗散电流2.当单面板布线空间受限的情况下,且两根需要连接的导线发生交叉时。可使用零欧姆电阻,当作导线使用跨越另一根线路进行连接,起“高架桥”的作用实现电气连通而不造成短路。
